[发明专利]用于射频集成器件封装的发射结构有效
| 申请号： | 201910453880.0 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110544676B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | B·E·威尔科斯克 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于射频集成器件封装的发射结构。本文公开涉及具有凸起和/或球发射结构的射频集成器件封装。凸起发射结构可以包括基本上匹配射频集成器件管芯的阻抗的图案化的金属和绝缘材料。球发射结构可以包括基本上匹配系统板的阻抗的图案化的金属和绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 集成 器件 封装 发射 结构 | ||
【主权项】：
1.集成器件封装，包括：/n具有正面和背面的层压基板，所述层压基板包括多个层；/n安装在所述层压基板的正面上的集成器件管芯，所述集成器件管芯包括射频(RF)电路并具有第一阻抗，所述集成器件管芯以一个或多个工作频率工作；/n设置在所述集成器件管芯与所述层压基板的正面之间的多个导电凸起，所述导电凸起电连接所述集成器件管芯和所述层压基板；和/n凸起发射结构，至少部分地由所述层压基板的正面处或附近的一个或多个层限定，所述凸起发射结构包括具有与所述第一阻抗匹配的第二阻抗的以第一图案排列的金属和绝缘材料，使得所述凸起发射结构的电压驻波比(VSWR)小于2:1。/n
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