[发明专利]碳化硅制备装置

摘要

本发明公开了一种碳化硅制备装置，涉及碳化硅技术领域。所述装置通过助溶剂法连续生长碳化硅晶体，然后通过对坩埚的接触冷却来提高碳化硅晶体生长的稳定性，同时通过多区液态金属接触冷却与多区加热，来实现在不同的高温度梯度区域多级液滴迁移来消除包裹物，随着坩埚的下降使得碳化硅晶体中的包裹物逐渐减少直至消失，制备无包裹物且低应力的碳化硅晶体。所述装置选用低熔点高沸点液态金属接触冷却液可以循环使用且经济实用，通过多级消除包裹物提高了溶剂法生长碳化硅的效率和质量。

主权项

1.一种碳化硅制备装置，其特征在于：包括接触冷却液回流槽（29），所述回流槽内设置有熔炼坩埚升降及转动驱动装置以及液态金属接触冷却液（30），所述驱动装置的动力输出端与坩埚支撑杆（31）的下端连接，所述坩埚支撑杆（31）的上端与熔炼坩埚（5）的底部固定连接，从上到下依次设置有环形的第一加热器（6）、第一冷却系统（7）、第二加热器（8）、第二冷却系统（9）、第三加热器（10）、第三冷却系统（11）以及第四加热器（12），所述第一加热器（6）、第一冷却系统（7）、第二加热器（8）、第二冷却系统（9）、第三加热器（10）、第三冷却系统（11）以及第四加热器（12）的中间空间形成所述熔炼坩埚（5）的运动通道，所述熔炼坩埚（5）的上端开口内设置有内加热器（4），原料补充坩埚（1）的下端设置有投料管（3），原料补充坩埚（1）内设置有硅/碳混合粉（2），所述投料管（3）的上端开口与所述原料补充坩埚（1）相连通，所述投料管（3）的下端穿过所述内加热器（4）后进入所述熔炼坩埚（5）；所述第一加热器（6）与第一冷却系统（7）之间设置有接触冷却液导入盘（32），所述导入盘上设置有沿所述熔炼坩埚径向方向延伸的接触冷却液导入通道，接触冷却液回流泵（33）的液体进入口通过管路与所述回流槽相连通，所述回流泵的液体排出口通过管路与所述导入通道的外侧端口相连通，所述驱动装置、所述加热器、所述冷却系统以及所述回流泵受控于控制模块，用于在控制模块的控制下进行工作。