[发明专利]基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910454743.9 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110190511B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 姬小利;谭晓宇;魏同波;王军喜;杨富华;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/183;H01S5/187;H01L33/10;H01L33/32;H01L31/101;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Al |
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| 搜索关键词： | 基于 多孔 algan 紫外 分布 布拉格 反射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜，其特征在于，所述紫外分布布拉格反射镜顺次包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1‑x)N层和多孔AlyGa1‑yN层；其中所述多孔AlyGa1‑yN层为多孔结构，0＜x＜1，0＜y＜1。
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