[发明专利]一种高暴露晶面的钴酸镁纳米线及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910455092.5 申请日: 2019-05-29
公开(公告)号: CN110233268B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 孙晖;蒋卓良;周红军 申请(专利权)人: 中国石油大学(北京)
主分类号: H01M4/88 分类号: H01M4/88;H01M4/90;H01M12/06;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘鑫;李辉
地址: 102249*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种高暴露晶面的钴酸镁纳米线及其制备方法和应用。该钴酸镁纳米线的制备方法为:将钴盐、镁盐和尿素混合溶解于水中得到溶液A;将铵盐溶于水中得到溶液B;将溶液A进行超声处理,然后加热搅拌,并逐滴添加溶液B至溶液A中,滴加过程保持加热并持续搅拌;接着进行水热反应,反应结束干燥后于空气中煅烧得到该钴酸镁纳米线。本发明的制备方法制备获得的钴酸镁纳米线具有高暴露的111晶面,该纳米线材料相对于普通钴酸镁纳米颗粒材料展现出较高的比容量和循环稳定性能,将其作为正极催化剂在锂空气电池中的应用,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 暴露 钴酸镁 纳米 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种钴酸镁纳米线的制备方法,其包括以下步骤:将钴盐、镁盐和尿素混合溶解于水中得到溶液A;将铵盐溶于水中得到溶液B;将溶液A进行超声处理,然后加热搅拌,并逐滴添加溶液B至溶液A中,滴加过程保持加热并持续搅拌;接着进行水热反应,反应结束干燥后于空气中煅烧得到该钴酸镁纳米线。
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