[发明专利]半导体器件及其制造方法在审

申请号：	201910455230.X	申请日：	2019-05-29
公开（公告）号：	CN110556301A	公开（公告）日：	2019-12-10
发明（设计）人：	志村久;桑原良安	申请（专利权）人：	住友电工光电子器件创新株式会社
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L25/00;H01L21/78;H01L21/48;H01L21/60
代理公司：	11219 中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人：	李兰;孙志湧
地址：	日本神***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体芯片，其中主要包含GaN的场效应晶体管形成在SiC半导体基板的表面上。该半导体器件包括半导体芯片的背表面通过包含Ag的导电结合材料安装在其上的金属基底和被配置成密封半导体芯片的树脂模。相对于Ag具有低于Au或Cu的润湿性的润湿性的金属暴露在沿着背表面的边缘延伸的区域中。
搜索关键词：	半导体器件半导体芯片背表面润湿性密封半导体芯片场效应晶体管导电结合材料半导体基板边缘延伸金属暴露金属基树脂模配置制造
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【主权项】：

1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n在SiC半导体基板的表面上形成主要包括GaN的场效应晶体管，在所述SiC半导体基板中形成用于半导体芯片的形成区域，所述形成区域由具有第一宽度的划线来分割；/n在所述SiC半导体基板的整个背表面之上形成第一金属层，其中所述第一金属层相对于Ag具有低于Au或Cu的润湿性的润湿性；/n在所述第一金属层的第一区域上形成由Au制成的第二金属层，所述第一区域与所述划线不重叠；/n通过沿着所述划线以比所述第一宽度窄的第二宽度划片所述SiC半导体基板，来个体化所述半导体芯片；以及/n通过含Ag的导电粘合构件将所述半导体芯片安装在金属基底上。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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