[发明专利]集成电路系统、存储器集成电路系统以及用于形成集成电路系统的方法在审
| 申请号： | 201910455257.9 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110556383A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | M·J·戈斯曼;M·J·巴克利;M·J·金;E·纳尔逊;M·帕克;J·里斯;徐丽芳;赵博 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11526 | 分类号： | H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种集成电路系统、一种存储器集成电路系统以及用于形成集成电路系统的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括形成不同组成材料的竖直交替层的堆叠。形成至所述堆叠中的阶梯梯级结构，并且邻近所述阶梯梯级结构并在其之上形成上部平台。将所述阶梯梯级结构形成为包括所述不同组成材料的竖直交替层。多个阶梯个别地包括所述不同组成材料层中的两层。所述阶梯中的至少一些个别地具有仅两层，每层仅具有所述不同组成材料中的不同一者。位于所述上部平台下方的所述阶梯的上部包括所述不同组成材料层中的至少四层。公开了独立于方法的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 组成材料 集成电路系统 梯级结构 上部平台 交替层 堆叠 两层 竖直 存储器集成电路 邻近 申请 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路系统，其包括：/n三维3D阵列，其包括电子组件层；/n电路操作阶梯梯级结构；/n邻近所述电路操作阶梯梯级结构且在其上方的上部平台；并且/n所述电路操作阶梯梯级结构包括：/n竖直交替的绝缘层和导电层；/n多个阶梯，其个别地包括所述导电层中的一者和所述绝缘层中的一者，所述阶梯中的至少一些个别地具有所述导电层中的仅一者和所述绝缘层中的仅一者，所述仅一个导电层延伸到所述电子组件的所述3D阵列的所述层中的一者中，并且电耦合到所述一个层中的所述电子组件中的至少一者；以及/n位于所述上部平台下方的所述阶梯中的最上面的阶梯，在所述阶梯中具有至少一个导电层，所述导电层不从所述电路操作阶梯梯级结构延伸到所述电子组件的所述3D阵列中。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910455257.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
