[发明专利]一种差分馈电三频双极化天线在审

专利信息
申请号: 201910455653.1 申请日: 2019-05-29
公开(公告)号: CN110112549A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 李融林;王炫波;崔悦慧 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q5/28;H01Q5/321;H01Q21/00;H01Q21/24
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 王东东
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种差分馈电三频双极化天线,包括介质基板,其特征在于,所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线,交点位于介质基板的中心点,所述介质基板下表面设置缝隙辐射结构及SIW背腔结构,所述缝隙辐射结构位于介质基板及SIW背腔结构中间,且与SIW背腔结构连接;所述缝隙辐射结构包括四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元,所述四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元分别位于第一微带线及第二微带线形成的四个象限内。本发明结构简单,剖面低,容易加工,容易集成,在WiFi和5G移动通信领域有很好的应用前景。
搜索关键词: 介质基板 微带线 缝隙辐射 背腔 双极化天线 缝隙单元 缝隙结构 寄生 馈电 介质基板上表面 移动通信领域 结构连接 下表面 正交的 中心点 象限 加工 应用
【主权项】:
1.一种差分馈电三频双极化天线,包括介质基板,其特征在于,所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线,交点位于介质基板的中心点,所述介质基板下表面设置缝隙辐射结构及SIW背腔结构,所述缝隙辐射结构位于介质基板及SIW背腔结构中间,且与SIW背腔结构连接;所述缝隙辐射结构包括四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元,所述四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元分别位于第一微带线及第二微带线形成的四个象限内。
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