[发明专利]用于增强三维结构到衬底的粘附的方法以及相关组合件及系统有效
| 申请号： | 201910455692.1 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110620048B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | C·J·甘比;N·段;C·S·蒂瓦里;O·R·费伊;陈莹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及用于增强三维结构到衬底的粘附的方法以及相关组合件及系统。在半导体结构上形成3D结构的支撑件的方法包括通过沉积、选择性暴露及固化从光可界定材料形成所述支撑件。还揭示包含具有相关联支撑件的3D结构的半导体裸片及半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 三维 结构 衬底 粘附 方法 以及 相关 组合 系统 | ||
【主权项】：
1.一种增强3D结构到半导体衬底的粘附的方法，所述方法包括：/n将光可界定材料施加到半导体衬底的表面且围绕从所述表面突出的至少一个3D结构的外围；/n将邻接所述至少一个3D结构的所述光可界定材料暴露于小于足以穿透所述光可界定材料的基本上整个厚度的辐射能量剂量的辐射能量亚剂量，同时将所述光可界定材料中与所述至少一个3D结构横向隔开的至少一个其它部分暴露于所述辐射能量剂量；及/n移除暴露于所述辐射能量剂量的所述光可界定材料厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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