[发明专利]一种晶圆级芯片封装方法在审
| 申请号： | 201910455965.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110335825A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 钟志明;汪洋;赵亚东;方梁洪;刘明明;刘凤 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级芯片封装方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆一侧的表面包括芯片分布区和环绕所述芯片分布区的边缘区；在所述芯片分布区和所述边缘区分别形成多个焊垫；在所述晶圆有焊垫一侧的表面以及所述焊垫的表面形成保护层，所述保护层内形成有暴露所述焊垫的开口；在所述开口内形成焊点，所述焊点与所述焊垫电连接；对所述晶圆无焊点一侧的表面进行研磨减薄，以对减薄后的所述晶圆进行切割。实施本发明的一种晶圆级芯片封装方法，可以减小研磨工艺处理后晶圆中心与边缘的厚度差，从而降低划片过程中切割刀片破损的异常发生率。 | ||
| 搜索关键词： | 焊垫 晶圆 芯片封装 分布区 种晶 焊点 研磨 芯片 保护层 边缘区 减薄 开口 异常发生率 表面形成 工艺处理 晶圆中心 切割刀片 电连接 厚度差 无焊点 划片 减小 破损 切割 环绕 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆(1)，所述晶圆(1)一侧的表面包括芯片分布区(11)和环绕所述芯片分布区(11)的边缘区(12)；在所述芯片分布区(11)和所述边缘区(12)分别形成多个焊垫；在所述晶圆(1)有焊垫一侧的表面以及所述焊垫的表面形成保护层，所述保护层内形成有暴露所述焊垫的开口；在所述开口内形成焊点(13)，所述焊点(13)与所述焊垫电连接；对所述晶圆(1)无焊点一侧的表面进行研磨减薄，以对减薄后的所述晶圆(1)进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
