[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

半导体结构的形成方法包括提供结构，其具有基板、自基板延伸的第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物、以及第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间的介电鳍状物；形成暂时栅极于第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与介电鳍状物的顶部及侧壁上；形成多个栅极间隔物于暂时栅极的侧壁上；移除栅极间隔物之间的介电鳍状物的第一部分与暂时栅极；形成栅极于栅极间隔物之间及第一半导体鳍状物及第二半导体鳍状物的顶部与侧壁上，其中介电鳍状物物理接触栅极的侧壁；移除介电鳍状物的第二部分，以露出栅极的侧壁；以及经由栅极的露出侧壁对栅极进行蚀刻制程，以将该栅极分成第一栅极部件与第二栅极部件。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，包括：/n提供一结构，其具有一基板、自该基板延伸的一第一半导体鳍状物与一第二半导体鳍状物、以及该第一半导体鳍状物与该第二半导体鳍状物之间的一介电鳍状物；/n形成一暂时栅极于该第一半导体鳍状物、该第二半导体鳍状物、与该介电鳍状物的顶部及侧壁上；/n形成多个栅极间隔物于该暂时栅极的侧壁上；/n移除所述栅极间隔物之间的该介电鳍状物的一第一部分与该暂时栅极；/n形成一栅极于所述栅极间隔物之间及该第一半导体鳍状物及该第二半导体鳍状物的顶部与侧壁上，其中该介电鳍状物物理接触该栅极的侧壁；/n移除该介电鳍状物的一第二部分，以露出该栅极的侧壁；以及/n经由该栅极的露出侧壁对该栅极进行一蚀刻制程，以将该栅极分成一第一栅极部件与一第二栅极部件，该第一栅极部件接合该第一半导体鳍状物，且该第二栅极部件接合该第二半导体鳍状物。/n