[发明专利]一种无残余应力均质耐高温型SiCf有效

专利信息
申请号: 201910456177.5 申请日: 2019-05-29
公开(公告)号: CN110143824B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 阳海棠;黄小忠;许慎微 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/84;C04B35/628;F01D5/02;F01D5/28
代理公司: 长沙大珂知识产权代理事务所(普通合伙) 43236 代理人: 伍志祥
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种无残余应力均质耐高温型SiCf/SiC涡轮整体叶盘的制备方法,首先极性编织碳化硅纤维布;然后进行热压‑铺缝处理,获得涡轮整体叶盘预制件;再进行化学气相沉积处理,引入界面层;对涡轮整体叶盘预制件的部分致密化处理;超声切割方式去除余量;再对涡轮整体叶盘预制件进行完全致密化处理;采用激光加工方式进行产品精加工;最后在产品表面沉积50~200μm的陶瓷组合耐高温涂层,即得到无残余应力均质耐高温的涡轮整体叶盘成品;经本发明制备得到的涡轮整体叶盘具有无残余应力、均质、耐高温的优势,同时采用插径线法可以显著提高涡轮整体叶盘的承载能力,不仅能够适用于高温恶劣的使用环境,而且可以有效延长使用寿命。
搜索关键词: 一种 残余 应力 耐高温 sic base sub
【主权项】:
1.一种无残余应力均质耐高温型SiCf/SiC涡轮整体叶盘的制备方法,其特征在于,所述制备方法包含以下步骤:1)极性编织碳化硅纤维布;2)将步骤1)中编织的若干碳化硅纤维布进行热压‑铺缝处理,获得涡轮整体叶盘预制件;3)对步骤2)的涡轮整体叶盘预制件进行化学气相沉积处理,引入界面层;4)将步骤3)处理的涡轮整体叶盘预制件进行多次以聚碳硅烷与高温陶瓷相为先驱体的浸渍‑裂解工艺、反应溶体浸渗工艺及化学气相渗透工艺处理,完成涡轮整体叶盘预制件的部分致密化;5)将步骤4)得到的产品采用超声切割方式去除余量;6)将步骤5)制备的产品采用以聚碳硅烷为先驱体的浸渍‑裂解工艺或反应溶体浸渗工艺或化学气相渗透工艺中的一种或两种进行处理,完成涡轮整体叶盘预制件的完全致密化,即得到均质的涡轮整体叶盘复合材料;7)将步骤6)制备的产品采用激光加工方式进行产品精加工,即得到几乎无残余应力的涡轮整体叶盘复合材料;8)将步骤7)制备的产品表面沉积50~200μm的陶瓷组合耐高温涂层,即得到无残余应力均质耐高温的涡轮整体叶盘成品。
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