[发明专利]一种通过多次曝光保证Wafer ID可识别的曝光方法有效
| 申请号： | 201910456237.3 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110320760B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 方梁洪;李春阳;任超;罗立辉;彭祎;刘明明 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过多次曝光保证Wafer ID可识别的曝光方法，包括：确定Wafer ID区域中芯片的位置；将所述晶圆固定在载片器上，并在所述芯片表面上涂覆光刻胶；将光刻板与所述晶圆相对设置，使得光刻板开口与所述pad开口对应；通过所述光刻板对所述芯片进行第一次曝光；调整所述光刻板的开口与所述pad开口相对位置，通过所述光刻板对所述Wafer ID区域中芯片进行曝光；进行显影处理，使所述芯片的表面全部被光刻胶覆盖。本发明通过多次平移曝光能够保证晶圆识别码区域被光刻胶完全覆盖，从而保证晶圆识别码的正确识别，避免后续制程由于wafer位置放错导致的一系列重大问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 多次 曝光 保证 wafer id 识别 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，其特征在于，晶圆上设置芯片，所述芯片包括焊盘(pad)开口，并且所述pad开口直径大于相邻两个pad开口之间的距离，所述方法包括以下步骤：确定WaferID区域中芯片的位置；将所述晶圆固定在载片器上，并在所述芯片表面上涂覆光刻胶；将光刻板与所述晶圆相对设置，使得光刻板开口与所述pad开口对应；通过所述光刻板对所述芯片进行第一次曝光；调整所述光刻板的开口与所述pad开口相对位置，通过所述光刻板对所述WaferID区域中芯片进行曝光；进行显影处理，使所述芯片的表面全部被光刻胶覆盖。
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