[发明专利]氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910456914.1 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110289206A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张翼;庄絜晰;林雨洁 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 谢敏楠 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构及其制造方法，是在硅(100)基板上制作百纳米级孔洞，再利用湿法刻蚀使硅基板的(111)晶面暴露，并以此(111)晶面作为氮化铝缓冲层和氮化镓的成核表面，且在氮化镓成长时同时通入硅烷以调控硅原子在氮化镓中的掺杂浓度，从而获得理想的氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构，借以应用在硅金属氧化物半导体场效应晶体管元件，解决因元件持续微缩所产生的崩溃问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓 硅基板 半导体结构 异质 整合 晶面 场效应晶体管 氮化铝缓冲层 氧化物半导体 孔洞 百纳米级 成核表面 湿法刻蚀 硅金属 硅原子 再利用 硅烷 基板 微缩 制造 掺杂 崩溃 暴露 调控 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构，其特征在于，包含：硅基板，具有(100)晶面的主表面，所述主表面上形成有氧化层，并通过所述氧化层在所述硅基板中形成有百纳米级孔洞，所述百纳米级孔洞的壁面是由侧壁和在所述侧壁下延伸的倾斜表面所构成，所述侧壁形成有氮化层，所述倾斜表面具有所述硅基板的(111)晶面；氮化铝缓冲层，形成在所述百纳米级孔洞的所述倾斜表面上；以及硅掺杂的氮化镓外延层，形成在所述百纳米级孔洞内并位在所述氮化铝缓冲层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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