[发明专利]新型二三维结合的双极化带通型雷达吸波体

摘要

本发明涉及新型二三维结合的双极化带通型雷达吸波体。传统的带通型雷达吸波体基于双层或多层二维平面级联的方式实现，在对损耗层进行设计时，需要对有耗元件所在结构进行特殊设计，才能够在吸波频段内得到低插损通带；而三维结构的带通型雷达吸波体将吸波腔和传输腔分开设计并堆叠而成，能够得到高选择性以及低插损的通带，但是其很难设计成双极化。所提出的二三维结合的双极化带通型雷达吸波体，采用传输线屏蔽的方式，利用传输线的特性对有耗层进行屏蔽，设计简单，原理清晰，结构轻便，并且具有良好的性能。

主权项

1.新型二三维结合的双极化带通型雷达吸波体为周期性结构，其特征为每个结构单元从上至下依次包括吸波面、三维传输线结构以及带通型频率选择表面；所述的吸波面包括第一介质基片，以及镀在第一介质基片表面的第一至四端口阻抗渐变型缝隙电容、与第一至四端口阻抗渐变型缝隙电容相连接的第一至四集总电阻以及同时与四个电阻相连的第一金属圆环；所述的三维传输线结构位于吸波面与带通频率选择表面之间，包括四块第二介质基片以及第一、第二、第三、第四金属线；四块第二介质基片依次相连成环形结构，并与第一介质基片垂直设置；第一至四金属线分别镀在四块第二介质基片内侧壁上；金属线位于所在第二介质基片的中线上；所述的第一至四金属线分别与吸波面上对应的第一至四端口阻抗渐变型缝隙电容形成电气连接；所述的带通频率选择表面与第一介质基片平行设置，紧靠三维传输线结构，但不与三维传输线结构的第一、第二、第三、第四金属线形成电气连接；所述的带通频率选择表面包括第三介质基片以及设置在第三介质基片下表面的金属面；金属面刻有类矩形缝隙，每条边的中心位置由依次排列的第一至五“凵”型缝隙以及连接线结构构成，第一“凵”型缝隙与第五“凵”结构形状高度相同，第二“凵”型缝隙与第四“凵”型缝隙形状高度相同，第一、二、三“凵”型缝隙呈阶梯状设置，且第三“凵”型缝隙最高；每条边上相邻“凵”型缝隙间距相等并通过连接线结构连通。