[发明专利]一种浮结型肖特基势垒二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201910458067.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110323283A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;吴勇;何艳静;韩超;梁家铖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种浮结型肖特基势垒二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结层4，位于所述外延层2上层的两侧；绝缘型多晶硅层5，位于所述浮结层4上层；沟槽6，位于所述绝缘型多晶硅层5上层；肖特基接触阴极7，位于所述衬底层1下层；肖特基接触阳极8，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层5和所述沟槽6。本发明提出的二极管，通过改善浮结型肖特基势垒二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 肖特基势垒二极管 多晶硅层 衬底层 绝缘型 上层 结型 肖特基接触 结层 阴极 器件击穿电压 二极管 阳极 导通电阻 二次生长 工艺步骤 工艺难度 减小 下层 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种浮结型肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：衬底层(1)；外延层(2)，位于所述衬底层(1)上层；浮结层(4)，位于所述外延层(2)上层的两侧；绝缘型多晶硅层(5)，位于所述浮结层(4)上层；沟槽(6)，位于所述绝缘型多晶硅层(5)上层；肖特基接触阴极(7)，位于所述衬底层(1)下层；肖特基接触阳极(8)，覆盖所述外延层(2)、所述绝缘型多晶硅层(5)和所述沟槽(6)。
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