[发明专利]一种超薄单晶硅片的制备方法在审
| 申请号： | 201910459131.9 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112011829A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 朱运权 | 申请（专利权）人： | 扬州市万达光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B29/64;C30B11/00;B28D5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了硅原料处理装置技术领域的一种超薄单晶硅片的制备方法，包括主体，所述主体的顶部右侧设置有硅原料装入口，所述主体的左侧外壁上端设置有电极，所述主体的内部上端设置有感应炉，所述感应炉的右侧设置有感应炉翻转机构，所述感应炉的下方设置有凝固炉，所述凝固炉的右侧设置有支架，所述凝固炉的下方设置有硅锭搬运机，所述硅锭搬运机的下方设置有升降机，所述升降机的底部左侧设置有第一电机，所述升降机的右侧设置有冷却装置，通过将熔融和结晶在两个不同的坩埚中进行，可以实现半连续化生产，而且熔融、结晶、冷却分别位于不同的地方可以有效提高生产效率，减少能源的消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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