[发明专利]一种具有单侧掩蔽层的碳化硅MOSFET器件在审
| 申请号： | 201910459165.8 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110112218A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张玉明;白瑞杰;宋庆文;汤晓燕;张艺蒙;王悦湖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有单侧掩蔽层的碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次设置的漏电极、N型掺杂衬底层、N型漂移区和P型基区；所述P型基区上设置有P型源区和N型源区；所述P型基区的内部设置有槽栅结构，所述槽栅结构的底部延伸至所述N型漂移区的内部，所述槽栅结构的顶部延伸出所述P型基区的上表面；所述槽栅结构的下方设置有掩蔽层，且所述掩蔽层的上表面与所述槽栅结构的下表面接触，且所述掩蔽层仅覆盖所述槽栅结构的下表面的一部分；所述P型源区和所述N型源区上设置有源电极；所述槽栅结构上设置有栅电极。本发明的碳化硅MOSFET器件，通过在槽栅结构的底部增加掩蔽层，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 槽栅结构 掩蔽层 碳化硅MOSFET 上表面 下表面 击穿电压 内部设置 依次设置 衬底层 漏电极 源电极 栅电极 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种具有单侧掩蔽层的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括从下至上依次设置的漏电极(1)、N型掺杂衬底层(2)、N型漂移区(3)和P型基区(4)；所述P型基区(4)上设置有P型源区(5)和N型源区(6)；所述P型基区(4)的内部设置有槽栅结构(7)，所述槽栅结构(7)的底部延伸至所述N型漂移区(3)的内部，所述槽栅结构(7)的顶部延伸出所述P型基区(4)的上表面；所述槽栅结构(7)的下方设置有掩蔽层(8)，且所述掩蔽层(8)的上表面与所述槽栅结构(7)的下表面接触，且所述掩蔽层(8)仅覆盖所述槽栅结构(7)的下表面的一部分；所述P型源区(5)和所述N型源区(6)上设置有源电极(9)；所述槽栅结构(7)上设置有栅电极(10)。
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