[发明专利]基于NAND FLASH存储器的校验方法、终端设备及存储介质有效
| 申请号： | 201910461388.8 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110277131B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 董时舫 | 申请（专利权）人： | 百富计算机技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C16/10 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 王善娜 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请适用于计算机技术领域，提供了一种基于NAND FLASH存储器的校验方法、终端设备及存储介质，包括：在数据写入时，基于原始数据生成矩阵，通过所述矩阵获取四个方向的子纠错码，并将四个子纠错码段组成为原始纠错码，在数据读出时，通过读出数据生成计算纠错码，并从存储器中读取校验纠错码，通过比较计算纠错码和校验纠错码确定读出数据是否发生错误，并在出现错误时对读出数据进行纠错处理。本申请实施例提供的基于NAND FLASH存储器的校验方法、终端设备及存储介质，可以纠正NAND FLASH存储页中一位、两位及三位的误码，能为NAND FLASH的存储提供更高的可靠性保障。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nand flash 存储器 校验 方法 终端设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基于NAND FLASH存储器的校验方法，其特征在于，包括：在数据写入时，获取原始数据，并基于所述原始数据生成矩阵；基于所述矩阵生成原始纠错码；所述原始纠错码包括横向子纠错码、纵向子纠错码、左斜向子纠错码和右斜向子纠错码；将所述原始数据和所述原始纠错码写入所述NAND FLASH存储器中；在数据读出时，从所述NAND FLASH存储器中读取与所述原始数据对应的读出数据和与所述原始纠错码对应的校验纠错码；基于生成所述原始数据的原始纠错码的方式，生成所述读出数据的计算纠错码；将所述读出数据的计算纠错码与所述校验纠错码进行比较，获得校验结果，并在所述校验结果为所述读出数据出现错误时，对所述读出数据进行纠错处理。
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