[发明专利]一种水合三氧化钨/钨自支撑电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201910462002.5 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110349754B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 高静;佟明兴;李玉儒;吴世照;周俊熹;陈晓丹;李国华 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/22 | 分类号： | H01G11/22;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86;C25D11/26 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 冷红梅 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种水合三氧化钨/钨自支撑电极及其制备方法，所述水合三氧化钨/钨自支撑电极按如下方法制备：以金属钨片为阳极，以金属钛片为阴极，在十二烷基硫酸钠‑盐酸混合电解液中阳极氧化反应制得水合三氧化钨纳米片/钨自支撑电极。本发明制备的本发明方法制得的水合三氧化钨纳米片形貌均一，结构完整，且纳米片垂直生长在钨基体上，与金属钨衬底结合牢固，不易脱离；并且，本发明方法工艺简单，制备重复性高，对设备要求低，且所涉及化学品廉价易得，在工业应用方面有很大的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水合 氧化钨 支撑 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业大学，未经浙江工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910462002.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：赋形波束高功率微波同轴腔缝隙天线
- 下一篇：一种RLC振荡电路模拟装置
