[发明专利]一种滁菊矮化培育方法

摘要

本发明公开了一种滁菊矮化培育方法，包括以下步骤：S1：基肥处理；S2：扦插繁殖处理；S3：开沟；S4：移栽前预处理；S5：移栽；S6：中耕除草；S7：控制施肥；S8：人工曲干；S9喷施生长调节剂；S10：打顶；S11：病虫害防治，本发明严格滁菊矮化培育方法，通过严格控制滁菊矮化培育的工艺参数，通过对培育的滁菊先后进过移栽前预处理、控制施肥、人工曲干、喷施生长调节剂和打顶的几个方面入手，对滁菊进行矮化处理，整体培育的滁菊产品相比较现有的滁菊矮化培育方法，矮化率提高30％，而且植株的高度控制在35～50cm，相对传统的培育方法比较，本发明的培育方法培育的滁菊平整率提高15～20％，培育出来的滁菊的株形茁壮，而且花大，呈白色，培育的质量更高。

主权项

1.一种滁菊矮化培育方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、基肥处理选取堆肥、人畜废水、泥炭土和珍珠岩的混合基质作为培养苗床，其中堆肥、人畜废水、泥炭土和珍珠岩的重量比为6～8：2～5：2～5：0.2～1.5；S2、扦插繁殖处理扦插繁殖时间选取3～4月份，插条生长温度15～18℃，插条长度为5‑8cm，剪去下部叶片，摘去枝顶，保留上部2～3片叶子；S3、开沟在培养苗床上开沟，插条扦插入沟槽后，覆土盖沟并踩紧，浇水保持苗床湿润，培育时间20～30天；S4、移栽前预处理将S3培育的幼苗去掉枝顶促其萌发侧枝，再剪去过多且长得不好的侧枝，以达到株型丰满，植株低矮；S5、移栽将步骤S4中处理好的幼苗移栽到花盆中，盆中的培养基质和S1中的培养苗床一致，移栽后根部覆土压紧，浇水定根；S6、中耕除草在第一次移栽后13～17天，中耕除草，中耕除草时浅松表土，同时给植株根部培土，防止植株倒伏；S7、控制施肥对栽培的滁菊植株，栽培过程中适时加入磷肥、钾肥及氮肥，控制植株的营养生长，达到矮化；S8、人工曲干采用人工扭曲枝干，使植株运输通道受阻，减慢植株的生长速度，达到花卉株型低矮；S9、喷施生长调节剂在植株生长阶段，喷施激素类型的生长调节剂抑制植株生长达到矮化，喷施次数1～3次；S10、打顶植株育苗期间，摘去幼苗主杆顶端，植株分枝长出4～5片叶时，从顶端1～2片叶子处摘去；S11、病虫害防治在植株培育期间，做好喷施防虫害药剂，控制植株的培育生长，直至滁菊矮化培育完成。