[发明专利]集成背侧电源网格的半导体装置及其相关的集成电路与制造方法在审
| 申请号： | 201910462226.6 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110556362A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈志良;周雷峻;刘逸群;萧锦涛;杨惠婷;林威呈;刘俊宏;曾健庭;杨超源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种集成背侧电源网格的半导体装置及其相关的集成电路与制造方法，所述半导体装置包含衬底、介电区、多个导电区、第一导电轨及导电结构。所述介电区位于所述衬底上。所述多个导电区位于所述介电区上。所述第一导电轨位于所述介电区内，且电连接到所述多个导电区的第一导电区。所述导电结构经布置以穿透所述衬底且形成于所述第一导电轨下方。所述导电结构电连接到所述第一导电轨。 | ||
| 搜索关键词： | 导电轨 导电区 导电结构 介电区 衬底 半导体装置 电连接 电源网格 介电 集成电路 穿透 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：/n衬底；/n介电区，其位于所述衬底上；/n多个导电区，其位于所述介电区上；/n第一导电轨，其位于所述介电区内，所述第一导电轨电连接到所述多个导电区的第一导电区；及/n导电结构，其穿透所述衬底且形成于所述第一导电轨下方，所述导电结构电连接到所述第一导电轨。/n
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