[发明专利]同步实现Cu掺杂和表面异质结构制备Cd1-xCuxS@Cu的方法在审
| 申请号： | 201910462976.3 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110152685A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李晓燕;邓博天;邓明龙;张朝良 | 申请（专利权）人： | 重庆交通大学 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;B01J37/10 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吕小琴 |
| 地址： | 402247 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同步实现Cu掺杂和表面异质结构制备得到Cd1‑xCuxS@Cu的方法，其中，x＝0‑0.05，包括以下步骤：以铜源和CdS晶体材料为原料，通过热反应的方式同步实现CdS晶格内掺杂Cu离子和晶格外包覆Cu单质的Cd1‑xCuxS@Cu异质结构。以常规原料和设备通过CdS晶体材料进行同步掺杂和表面异质结构的构建，一步获得掺杂的Cd1‑xCuxS@Cu异质结构，可以简化材料制备工序并有效的增强材料吸收光和利用光生载流子的效率，成本低廉、操作简单，所制备的Cd1‑xCuxS@Cu掺杂异质结构广泛用于光学器件、光催化分解水制氢、光催化降解染料等技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结构 掺杂 制备 晶体材料 光催化分解水 光催化降解 光生载流子 晶格内掺杂 材料制备 常规原料 光学器件 增强材料 掺杂的 热反应 吸收光 染料 包覆 单质 构建 铜源 制氢 离子 | ||
【主权项】：
1.一种利用CdS晶体材料同步实现Cu掺杂和表面异质结构制备Cd1‑xCuxS@Cu的方法，其特征在于：其中，x＝0‑0.05，包括以下步骤：以铜源和CdS晶体材料为原料，通过热反应的方式同步实现CdS晶格内掺杂Cu离子和晶格外包覆Cu单质的Cd1‑xCuxS@Cu异质结构。
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