[发明专利]控温控压研抛微半球凹模阵列的加工方法有效

专利信息
申请号: 201910463389.6 申请日: 2019-05-30
公开(公告)号: CN110238713B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 赵军;王睿;黄金锋;吕经国 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: B24B1/04 分类号: B24B1/04;B24B49/14;B24B49/16
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 吴辉辉
地址: 310014 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了控温控压研抛微半球凹模阵列的加工方法。先将硅片工件在微铣削机床上进行粗加工;制作研抛装置,工具头球体与工件间充满研抛液,研抛液包含平均粒径为几十纳米至几微米的磨粒,磨粒内核为氧化铝内核,磨粒外壳为三价铈的氧化铈外壳;将研抛装置的工具头和硅片工件置于高压釜中,在高温、高压环境下进行加工;工具头在Z轴向靠近工件的方向做低速进给的同时由微型超声发生器驱动工具头及其底部的球体在工件上方做微小超声振动,研抛液中的复合磨粒受作用冲击工件,得到微半球凹模阵列。本发明大幅提升微半球凹模阵列的加工效率,保证凹模圆周半径的一致性和不同凹模之间几何形状的一致性,同时减少了对加工工具的磨损。
搜索关键词: 温控 压研抛微 半球 阵列 加工 方法
【主权项】:
1.控温控压研抛微半球凹模阵列的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、先将硅片工件在微铣削机床上进行粗加工;S2、制作研抛装置:由超硬材料制成的变幅杆上端与微型超声发生器连接,变幅杆下端与可更换工具头相连接,工具头的底部加工阵列凹球坑,凹球坑的直径小于等于球体直径,在球体与阵列凹球坑之间均匀涂抹强力粘接剂,将球体粘接在球坑中;S3、工具头球体与工件间充满研抛液,研抛液包含平均粒径为几十纳米至几微米的磨粒,磨粒内核为氧化铝内核,磨粒外壳为三价铈的氧化铈外壳;S4、将研抛装置的工具头和硅片工件置于高压釜中,在高温、高压环境下进行加工;S5、将预加工完毕的工件置于研抛装置的工具头下方,工具头在Z轴向靠近工件的方向做低速进给的同时由微型超声发生器驱动工具头及其底部的球体在工件上方做微小超声振动,研抛液中的复合磨粒受作用冲击工件,并结合工具头对硅片工件的锤击、微超声产生的空化作用和化学作用,得到微半球凹模阵列。
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