[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201910464997.9 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110556314B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吉田幸史;奥谷学;安田周一;金松泰范;上田大;张松;长原达郎;绢田贵史 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团;默克专利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法，其包括：处理液供给工序，向衬底的表面供给具有溶质及溶剂的处理液；处理膜形成工序，使已被供给至前述衬底的表面的前述处理液固化或硬化，在前述衬底的表面形成保持存在于前述衬底表面的去除对象物的处理膜；和剥离工序，向前述衬底的表面供给剥离液，将前述处理膜与前述去除对象物一同从前述衬底的表面剥离，前述剥离工序包括：贯通孔形成工序，使前述处理膜部分地溶解于前述剥离液而在前述处理膜上形成贯通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.衬底处理方法，其包括：/n处理液供给工序，向衬底的表面供给具有溶质及溶剂的处理液；/n处理膜形成工序，使已被供给至所述衬底的表面的所述处理液固化或硬化，在所述衬底的表面形成保持存在于所述衬底表面的去除对象物的处理膜；和/n剥离工序，向所述衬底的表面供给剥离液，将所述处理膜与所述去除对象物一同从所述衬底的表面剥离，/n所述剥离工序包括：贯通孔形成工序，使所述处理膜部分地溶解于所述剥离液而在所述处理膜上形成贯通孔。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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