[发明专利]一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910465347.6 申请日: 2019-05-30
公开(公告)号: CN110228796B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 马晓华;王湛;王冠飞;孙静;周伟凡;于谦;王浩林;谢涌 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 张捷
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法,包括,选取衬底并对其进行超声清洗;将衬底和待反应的前驱体混合物放入反应炉的中央温区,并将待反应的碲粉和硫粉或碲粉和硒粉放入反应炉的气流上游区;对反应炉进行气氛净化;将中央温区升温至反应温度,移动碲粉和硫粉或碲粉和硒粉靠近中央温区,使其融化蒸发,调整氢气和氩气比例,使前驱体混合物,碲粉以及硫粉或硒粉在氢气和氩气混合气体中进行反应,在衬底表面得到二维过渡金属碲基固溶体。本发明的方法通过CVD技术,在制备过程中通过对氢气通入时间和通入含量的控制,制备得到单层或少层、组分均一、连续可调,相可控的二维过渡金属碲基固溶体。
搜索关键词: 一种 薄层 二维 过渡 金属 固溶体 制备 方法
【主权项】:
1.一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法,其特征在于,包括:选取衬底并对其进行超声清洗;将所述衬底和待反应的前驱体混合物放入反应炉的中央温区,并将待反应的碲粉和硫粉或碲粉和硒粉放入所述反应炉的气流上游区;对所述反应炉进行气氛净化;将所述中央温区升温至反应温度,移动所述碲粉和所述硫粉或所述碲粉和所述硒粉靠近所述中央温区,使其融化蒸发,调整氢气和氩气比例,使所述前驱体混合物,所述碲粉以及所述硫粉或所述硒粉在氢气和氩气混合气体中进行反应,在所述衬底表面得到所述二维过渡金属碲基固溶体。
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