[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910465379.6 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN112018042B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在半导体衬底上形成初始待切割鳍，初始待切割鳍部分延伸至鳍切割区上；在半导体衬底上形成横跨初始待切割鳍的栅极结构，鳍切割区和第一插塞切割区均位于栅极结构的侧部；在半导体衬底和初始待切割鳍上形成覆盖栅极结构侧壁的介质层；刻蚀去除第一插塞切割区上的介质层和鳍切割区上的初始待切割鳍，形成切割开口，且使初始待切割鳍形成位于切割开口侧部的切割鳍；在切割开口中形成切割结构；在栅极结构侧部的介质层中形成第一插塞结构，切割结构在切割鳍的宽度方向上切割第一插塞结构。所述半导体器件的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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