[发明专利]一种掺杂铌元素的银锡薄膜共晶焊料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910465543.3 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110129617B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 宋忠孝;特日格乐;张宏凯;李雁淮;李响 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C22C13/00 | 分类号： | C22C13/00;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02;B23K35/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂铌元素的银锡薄膜共晶焊料及其制备方法。首先对基板材料进行化学清洗，然后利用磁控溅射技术在基板上沉积掺杂铌的银锡薄膜层，即掺杂铌元素的银锡薄膜共晶焊料。相对传统的熔炼技术，本发明显著的简化了三元无铅焊料的制备流程，制备周期短，可精确控制焊料成分，节能环保，具有良好的工艺性能。本发明制备的掺杂铌元素的银锡薄膜共晶焊料成本低廉、熔点低，焊接性能良好，可广泛应用于微电子封装中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 元素 薄膜 焊料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂铌元素的银锡共晶焊料，其特征在于：该焊料按质量分数计包括2.5％～5％的铌、10％～16％的银以及83％～85％的锡，其中，所述铌作为掺杂元素分散于银锡共晶体内。
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