[发明专利]半导体衬底生产系统和相关方法在审
| 申请号： | 201910465801.8 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110552068A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B33/04 | 分类号： | C30B33/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体衬底生产系统和相关方法。本发明公开了一种将晶圆与包括半导体材料的晶锭分离的方法，所述方法的实施方式可以包括：在包括半导体材料的晶锭中产生损伤层。所述晶锭可以具有第一端和第二端。所述方法可以包括冷却所述晶锭的所述第一端和加热所述晶锭的所述第二端。热梯度可以形成在所述冷却的第一端和所述加热的第二端之间。所述热梯度可以帮助碳化硅晶圆在所述损伤层处与所述晶锭分离。 | ||
| 搜索关键词： | 晶锭 第一端 半导体材料 热梯度 损伤层 晶圆 加热 冷却 生产系统 碳化硅 衬底 半导体 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种从包括半导体材料的晶锭分离晶圆的方法，所述方法包括：/n在包括半导体材料的晶锭中产生损伤层，其中，所述晶锭具有第一端和第二端；/n冷却所述晶锭的所述第一端；以及/n加热所述晶锭的所述第二端；/n其中，在所冷却的第一端和所加热的第二端之间的热梯度帮助碳化硅晶圆在所述损伤层处从所述晶锭分离。/n
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