[发明专利]谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910465860.5 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110186447B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 何玉铭;韩伟华;李兆峰;杨富华;陈淼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01C19/66 | 分类号： | G01C19/66;G02B6/12;G02B6/132;G02B6/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备，该谐振式陀螺仪光波导芯片包括：SOI基片，包括底层硅、埋氧层和顶层硅；所述顶层硅上制作有脊形硅波导芯区，所述脊形硅波导芯区包括：依次连接的输入模斑转换器、波导和输出模斑转换器；二氧化硅层，位于所述脊形硅波导芯区上方；氮化硅层，包括氮化硅微环谐振腔，位于所述二氧化硅层上方；二氧化硅上包层，覆盖于所述氮化硅层、二氧化硅层以及SOI基片上方。本发明提供的谐振式陀螺仪光波导芯片具有高灵敏度、高可集成度、响应速度快、对加速度不敏感和制备工艺简单的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 陀螺仪 波导 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种谐振式陀螺仪光波导芯片，其特征在于，包括：SOI基片，包括底层硅、埋氧层和顶层硅；所述顶层硅上制作有脊形硅波导芯区，所述脊形硅波导芯区包括：依次连接的输入模斑转换器、波导和输出模斑转换器；二氧化硅层，位于所述脊形硅波导芯区上方；氮化硅层，包括氮化硅微环谐振腔，位于所述二氧化硅层上方；二氧化硅上包层，覆盖于所述氮化硅层、二氧化硅层以及SOI基片上方。
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