[发明专利]一种锡球喷嘴及其制备方法有效
| 申请号： | 201910465883.6 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110137091B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王云飞;张黎燕;高志廷;尹长青;唐坤 | 申请（专利权）人： | 河南机电职业学院 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人： | 李想;王文文 |
| 地址： | 451191 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种锡球喷嘴，包括喷嘴基体，喷嘴基体由颈段、漏斗段和平底端构成，喷嘴基体内壁上镀金刚石膜层，喷嘴基体的平底端开设有锡球喷口；颈段为圆筒状，漏斗段为锥筒状。本发明采用激光做加工手段，保证了喷嘴的喷口的孔径精确度。本发明采用热丝化学气相沉积手段制备，提高了喷嘴主体由颈段与漏斗端及喷嘴的喷口内壁金刚石膜层均匀性。本发明的喷嘴使BGA锡球的真园度由95%提高到96%。本发明喷嘴内表面金刚石镀膜，金刚石耐高温，高耐磨，可以使得喷嘴寿命提高1倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 喷嘴 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锡球喷嘴，其特征在于：包括喷嘴基体（1），喷嘴基体（1）由颈段（101）、漏斗段（102）和平底端（103）构成，喷嘴基体（1）内壁上镀金刚石膜层（2），喷嘴基体（1）的平底端（103）开设有锡球喷口（3）；颈段（101）为圆筒状，漏斗段（102）为锥筒状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南机电职业学院，未经河南机电职业学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910465883.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
