[发明专利]一种Ku波段四通道微波T/R组件

摘要

一种Ku波段四通道微波T/R组件，是组成相同的四个独立的T/R通道合一的共腔体结构，其特征在于：多功能MMIC芯片是型号为BWM499芯片；每个T/R通道设有功率放大器芯片、依次连接的限幅器芯片、通道LNA芯片，以及发射电源调制芯片、接收电源调制芯片和波控芯片，还设有相互连接的环形器隔离器芯片、通道射频连接器。本发明结构紧凑，体积小，布线密度高，材料成本低，机械强度高，化学性能稳定，耐腐蚀，耐高温，具有多通道、高性能、高可靠性、高集成度、轻型化、低功耗、散热性好的特点，发射脉冲输出功率≥20W，接收噪声系数≤3.5dB，移相精度≤3.5°（均方根值RMS），衰减精度≤1dB（均方根值RMS）。

主权项

1.一种Ku波段四通道微波T/R组件，是组成相同的四个独立的T/R通道合一的共腔体结构，所述共腔体结构包括盖板、壳体以及通过焊接分别与所述壳体固定的T /R通道连接器、射频总口连接器，还包括与四个独立的T/R通道分别连接的功分网络，以及每个T/R通道的由多芯片组件MCM互连的多功能单片微波集成电路MMIC芯片，所述多功能MMIC芯片在同一块高温共烧陶瓷HTCC多层电路基板上集成有发送与接收共用的六位移相器、六位衰减器、开关和驱动放大器，以及信号控制器，四个独立的T/R通道分别提供独立的幅度和相位控制，分别包括发送与接收共用的微波器件，其特征在于：所述多功能MMIC芯片是型号为BWM499的多功能MMIC芯片；每个T/R通道设有功率放大器芯片，所述功率放大器芯片与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述功率放大器芯片的输入端与所述多功能MMIC芯片连接；每个T/R通道还设有依次连接的限幅器芯片、通道低噪声放大器LNA芯片，所述限幅器芯片、通道LNA芯片分别与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述通道LNA芯片的输出端与所述多功能MMIC芯片连接；每个T/R通道还设有发射电源调制芯片和接收电源调制芯片，所述发射电源调制芯片和接收电源调制芯片分别与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述发射电源调制芯片的输入端和接收电源调制芯片的输入端分别与所述射频总口连接器连接，所述发射电源调制芯片的输出端与所述功率放大器芯片连接，所述接收电源调制芯片的输出端分别与所述多功能MMIC芯片、通道LNA芯片连接，所述发射电源调制芯片的功能包括提供所述功率放大器芯片的负基准电压和栅压、提高发射电源调制信号驱动能力、控制所述功率放大器芯片的工作电压、提供所述功率放大器芯片的工作电压以及控制所述功率放大器芯片工作电压的发射电源调制芯片的栅压；所述接收电源调制芯片的功能是提供所述多功能MMIC芯片的的工作电压以及所述通道低噪声放大器芯片的漏压；每个T/R通道还设有波控芯片，所述波控芯片与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片依次相连接，通道一的波控芯片的输入端与所述射频总口连接器连接，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片的输出端与所述多功能MMIC芯片、发射电源调制芯片和接收电源调制芯片连接，通道四的波控芯片的输出端还与所述射频总口连接器连接；每个T/R通道还设有相互连接的环形器隔离器芯片、通道射频连接器，所述环形器隔离器芯片与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述环形器隔离器芯片的输入端与所述功率放大器芯片连接，所述环形器隔离器芯片的输出端与所述限幅器芯片连接，所述通道射频连接器与天线连接。