[发明专利]一种基于双极性晶体管的忆阻器在审
| 申请号： | 201910466647.6 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110210118A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 孙广辉;赵慧慧;徐志伟;徐兆青 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学通达学院 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于双极性晶体管的忆阻器，克服了现有采用有源电路芯片、所设计忆阻器模型结构复杂、成本高的缺点，采用全新设计结构，通过两个晶体管、两个二极管、四个电阻及两个电容组成忆阻器，具有结构简单、易实现、成本低、便于电路参数调整的优点，为科研人员研究忆阻器电路的生产和应用提供便利。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 双极性晶体管 电路参数调整 二极管 模型结构 设计结构 应用提供 电容 晶体管 源电路 电阻 电路 芯片 便利 科研 生产 研究 | ||
【主权项】：
1.一种基于双极性晶体管的忆阻器，其特征在于：包括晶体管Q1、晶体管Q2、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2；其中，二极管D1的正极分别对接电阻R4的其中一端、二极管D2的负极，同时二极管D1的正极作为忆阻器的其中一外接端，二极管D1的负极分别对接电阻R1的其中一端、晶体管Q1的集电极，电阻R1的另一端分别对接晶体管Q1的基极、电容C1的其中一端，电容C1的另一端分别对接电阻R3的其中一端、电容C2的其中一端， 同时，电容C1的另一端作为忆阻器的另一外接端；电阻R4的另一端、晶体管Q1的发射极、电阻R3的另一端、晶体管Q2的发射极四者相对接，电容C2的另一端分别对接晶体管Q2的基极、电阻R2的其中一端，电阻R2的另一端分别对接二极管D2的正极、晶体管Q2的集电极。
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