[发明专利]具有接点阵列的晶圆加热座有效
申请号: | 201910467555.X | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110265323B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 荒见淳一;周仁 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆加热座,包含一支撑柱连接于一盘体的底面,且该支撑柱握持有对应接触盘体的多个接触垫的一接点阵列,该接点阵列包括复数个接触柱。 | ||
搜索关键词: | 具有 接点 阵列 加热 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆加热座,其特征在于:包含,一盘体,具有用于支撑晶圆的一承载面及相对于该承载面的一底面,其中该底面提供有复数个接触垫;及一支撑柱,连接于该盘体的底面,且该支撑柱握持有对应接触该等接触垫的一接点阵列,该接点阵列包括复数个接触柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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