[发明专利]功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构在审
| 申请号： | 201910467688.7 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110265309A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 武伟;韩荣刚;张喆;张朋;李现兵;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/60;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李钦晓 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，该功率芯片预封装方法用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，该预封装方法包括：将多个引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个引出电极之间的空间，形成包围引出电极的第一封装层；去除晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用封装材料填充划片槽，形成第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了高压功率芯片终端受到污染的可能。通过形成第一封装层，为功率芯片的划片槽去除提供了支撑，改善了功率芯片终端由于切割造成的损伤，提高了功率芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率芯片 预封装 晶圆 划片槽 引出电极 封装层 第一电极 封装材料 去除 填充 封装 切割 第一表面 高压功率 芯片终端 排布 预留 损伤 包围 终端 支撑 污染 | ||
【主权项】：
1.一种功率芯片预封装方法，用于晶圆，所述晶圆上阵列排布有多个功率芯片，所述功率芯片的第一电极位于所述晶圆的第一表面，其特征在于，包括：将多个引出电极分别连接在所述功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个引出电极之间的空间，形成包围所述引出电极的第一封装层；去除所述晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用所述封装材料填充所述划片槽，形成第二封装层；对所述晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
