[发明专利]SOI器件的kink电流计算方法及装置有效
| 申请号： | 201910467871.7 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110210123B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王明湘;陈言言;张冬利;王槐生 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 宁波高新区核心力专利代理事务所(普通合伙) 33273 | 代理人： | 袁丽花 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种SOI器件的kink电流计算方法和装置，用以解决现有技术中kink电流计算不精准，不适合电路仿真的问题。该方法包括：分别获取SOI器件的碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流；根据碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流，计算SOI器件的kink电流。 | ||
| 搜索关键词： | soi 器件 kink 电流 计算方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种SOI器件的kink电流计算方法，其特征在于，包括：分别获取SOI器件的碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流；根据所述碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流，计算所述SOI器件的kink电流。
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