[发明专利]像素传感器、图像传感器及形成像素传感器的方法有效
| 申请号： | 201910468009.8 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129043B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 高桥诚司 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露实施例涉及一种像素传感器、一种图像传感器及一种形成像素传感器的方法。本揭露实施例涉及的像素传感器包括位于半导体衬底中的第一对光探测器及第二对光探测器。第一对光探测器相对于定位在第一对光探测器之间的中点处的第一线而呈反射对称。第二对光探测器相对于在中心点处与第一线相交的第二线而呈反射对称。上覆在半导体衬底上的第一组多个晶体管在侧向上相对于第一对光探测器偏置。上覆在半导体衬底上的第二组多个晶体管在侧向上相对于所述第一组多个晶体管偏置。第一对光探测器及第二对光探测器在侧向上位于所述第一组多个晶体管与所述第二组多个晶体管之间。所述第一组多个晶体管与所述第二组多个晶体管相对于中心点而呈点对称。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 传感器 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
