[发明专利]碳材料的新用途、半导体型X射线探测器顶电极及探测器在审
申请号: | 201910468558.5 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN112018193A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 杨世和;肖爽;钱微 | 申请(专利权)人: | 深圳市惠能材料科技研发中心(有限合伙) |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/115;H01L27/144 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 张海平;郭燕 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请涉及X射线探测器技术领域,具体涉及碳材料作为半导体型X射线探测器顶电极的材料的新用途、包含该碳材料的半导体型X射线探测器顶电极及包含该顶电极的半导体型X射线探测器。该碳材料例如是炭黑、石墨、活性炭、多孔碳、石墨烯、碳纳米管、碳60或它们的组合。该顶电极除了包含碳材料,还可包含少量的钼或银等金属材料和/或氧化铟锡等金属氧化物材料。本申请的碳材料顶电极价格低廉、制作方便,对X射线几乎无吸收,不会减弱探测器的性能。 | ||
搜索关键词: | 材料 用途 半导体 射线 探测器 电极 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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