[发明专利]超疏水花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 201910469117.7 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN110129754A 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 丁倩倩;耿哲;褚磊;张杰 申请(专利权)人: 苏州工业职业技术学院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/14;C23C14/58;C23C18/44;B82Y40/00;G01N21/65
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 215104 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种超疏水花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列的制备方法及应用,该制备方法通过气/液界面自组装技术制备聚苯乙烯胶体晶体,然后通过聚苯乙烯胶体晶体为模板经磁控溅射沉积金膜、退火,得到非密排的金纳米颗粒有序阵列,然后将金纳米颗粒有序阵列置于银纳米片生长溶液中,获得花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列,进一步通过Ag‑S键将全氟癸基硫醇键合在Ag纳米片上,制备超疏水花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列。该超疏水花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列对农药残留物具有高灵敏度,高重现性。
搜索关键词: 纳米片 分级结构 水花 制备 金纳米颗粒 磁控溅射沉积 聚苯乙烯胶体 制备聚苯乙烯 退火 农药残留物 气/液界面 高灵敏度 癸基硫醇 胶体晶体 生长溶液 银纳米片 重现性 自组装 花状 键合 金膜 密排 全氟 应用
【主权项】:
1.一种超疏水花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A1:以气/液界面自组装的方法制备聚苯乙烯胶体晶体;A2:以所述聚苯乙烯胶体晶体为模板,经磁控溅射沉积金层‑退火,去掉聚苯乙烯胶体晶体模板,得到金纳米颗粒有序阵列;A3:将所述金纳米颗粒有序阵列置于银纳米片的生长溶液中,保持预设时间,获得花状分级结构的Au@Ag纳米片有序阵列;A4:将所述花状分级结构的Au@Ag纳米片有序阵列浸泡在10mmol/L的全氟癸基硫醇溶液中,得到超疏水花状分级结构的Au@Ag纳米片有序阵列;其中,所述银纳米片的生长溶液为对苯二酚缓冲溶液和硝酸银溶液的混合液,所述硝酸银溶液的浓度为0.01~1.5mol/L,所述对苯二酚缓冲溶液的PH=3.6。
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