[发明专利]一种用于均衡电路的半桥-全桥隔离电路及其工作方法在审

专利信息
申请号: 201910469165.6 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN110098746A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 凌睿;何欣驰 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02J7/00
代理公司: 重庆天成卓越专利代理事务所(普通合伙) 50240 代理人: 路宁
地址: 400030 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种基于总线式均衡网络的隔离式均衡电路,第一MOS管漏极连接半桥侧电源正极,所述第一MOS管源极连接变压器一次侧的输入端,所述第二MOS管漏极连接变压器一次侧的输入端,所述第二MOS管源极连接半桥侧电源负极,所述第二电容一端连接变压器一次侧的输出端,所述第一电容另一端连接半桥侧负极,所述第三MOS管源极连接全桥侧电源正极,所述第三MOS管漏极连接变压器二次侧的输入端,所述第四MOS管源极连接变压器二次侧的输入端,所述第四MOS管漏极连接全桥侧电源负极,所述第五MOS管源极连接全桥侧电源正极,所述第五MOS管漏极连接变压器二次侧的输出端,所述第六MOS管源极连接变压器二次侧的输出端,所述第六MOS管漏极连接全桥侧电源负极。
搜索关键词: 次侧 源极连接 漏极 输入端 半桥 全桥 变压器 连接变压器 电源负极 电源正极 输出端 均衡电路 一端连接 电容 均衡网络 全桥隔离 负极 隔离式 总线式 电路
【主权项】:
1.一种用于均衡电路的半桥‑全桥隔离电路,其特征在于,包括:输入电容、输出电容、第一电容、第二电容、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、变压器、变压器一次测侧漏感、变压器二次侧漏感;第一隔离式均衡电路一端连接第一充放电电源,第一隔离式均衡电路另一端连接能量总线,第二隔离式均衡电路一端连接第二充放电电源,第二隔离式均衡电路另一端连接能量总线,第n隔离式均衡电路一端连接第n充放电电源,第n隔离式均衡电路另一端连接能力总线,其中第一隔离式均衡电路、第二隔离式均衡电路、第n隔离式均衡电路之间并联。
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