[发明专利]一种横向变掺杂终端结构

摘要

本发明公开了一种横向变掺杂终端结构，包括埋氧层和设于所述埋氧层上的耐压层，所述耐压层包括主结区、倒角区和平行区；所述倒角区的浓度参数为N_NOV(r_c，χ)，所述平行区的浓度参数为N_CON(χ)，所述耐压层的浓度参数为N_ADD(r_c,χ)，倒角区的浓度参数为N_NOV(r_c，χ)的计算公式为：N_NOV(r_c,χ)＝N_CON(χ)+N_ADD(r_c,χ)，其中，χ为以所述主结区的外侧边缘处为起点的坐标，r_c为所述倒角区的内侧的曲率半径，E_c为耐压层临界击穿电场，q为电子电荷量，ε_s为耐压层的介电常数。通过对掺杂浓度的计算改变倒角区和平行区的浓度参数，使横向变掺杂终端结构上的电场分布更加均匀，提高器件的击穿电压，消除版图倒角处的曲率效应引起击穿电压降低的影响。

主权项

1.一种横向变掺杂终端结构，包括埋氧层和设于所述埋氧层上的耐压层，其特征在于：所述耐压层包括主结区、倒角区和平行区，所述倒角区和平行区分别连接于所述主结区的外侧，所述倒角区与平行区交替相连；所述倒角区的浓度参数为N_NOV(r_c，χ)，所述平行区的浓度参数为N_CON(χ)，所述耐压层的浓度参数为N_ADD(r_c,χ)，倒角区的浓度参数为N_NOV(r_c，χ)的计算公式为：N_NOV(r_c,χ)＝N_CON(χ)+N_ADD(r_c,χ)，其中，χ为以所述主结区的外侧边缘处为起点的坐标，r_c为所述倒角区的内侧的曲率半径，E_c为耐压层临界击穿电场，q为电子电荷量，ε_s为耐压层的介电常数。