[发明专利]一种栅控双极-场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管有效
| 申请号： | 201910470309.X | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110212032B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;董自明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，该器件的衬底为元素半导体材料，所述基区接触的表面形成基极，所述基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启，代替传统的元素半导体横向双扩散晶体管中基区与源区短接的电极连接方式。与传统器件相比，本发明在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高器件的导通电流，降低器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅控双极 场效应 复合 元素 半导体 横向 扩散 金属 氧化物 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体材料的衬底；在所述衬底上生成的外延层；在所述外延层上形成的基区和漂移区；在所述基区上形成的基区接触和源区以及相应的沟道；在所述漂移区上形成的漏区；栅绝缘层，覆盖所述沟道以及漂移区靠近沟道的部分；栅极，位于栅绝缘层表面；源极，位于源区表面；漏极，位于漏区表面；其特征在于：所述衬底为元素半导体材料，所述基区接触的表面形成基极，所述基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910470309.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
