[发明专利]基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质在审
| 申请号： | 201910470720.7 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110556294A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 本田拓巳;佐野和成;百武宏展 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 变更处理 对基板 液处理 探测 基板液处理装置 浸渍 处理液中 存储介质 蚀刻工艺 变更 | ||
【主权项】：
1.一种基板液处理方法，包括以下工序：/n通过使基板浸在处理液中来对基板进行处理；/n探测使对所述基板进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及/n在探测到所述变换点的情况下，变更所述处理条件。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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