[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910471121.7 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110311022B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘浪;陆香花;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述GaN基发光二极管外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述电子阻挡层由依次层叠的多个第一复合结构组成，每个所述第一复合结构由依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层组成；所述第一子层和所述第五子层均为未掺杂的AlGaN层，所述第一子层中Al组分的含量小于所述第五子层中Al组分的含量，所述第二子层为未掺杂的InGaN层，所述第三子层为未掺杂的MgN层，所述第四子层为未掺杂的GaN层，所述第三子层中的Mg扩散到所述第四子层中。本发明可提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN基发光二极管外延片包括依次层叠的衬底(10)、缓冲层(20)、N型层(30)、多量子阱层(40)、电子阻挡层(50)和P型层(60)，所述电子阻挡层(50)由依次层叠的多个第一复合结构(500)组成，每个所述第一复合结构(500)由依次层叠的第一子层(510)、第二子层(520)、第三子层(530)、第四子层(540)和第五子层(550)组成；所述第一子层(510)和所述第五子层(550)均为未掺杂的AlGaN层，所述第一子层(510)中Al组分的含量小于所述第五子层(550)中Al组分的含量，所述第二子层(520)为未掺杂的InGaN层，所述第三子层(530)为未掺杂的MgN层，所述第四子层(540)为未掺杂的GaN层，所述第三子层(530)中的Mg扩散到所述第四子层(540)中。
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