[发明专利]一种基于砷化镓的微波整流芯片

摘要

本发明公开了一种基于砷化镓的微波整流芯片，解决传统整流电路尺寸大、重量相对较重的问题。芯片采用0.25微米砷化镓pHEMT工艺制成，芯片厚度为0.1毫米，芯片表面的电路由射频输入端口(1)、隔直电容(2)、输入匹配电路(3)、肖特基二极管阵列(4)、输出滤波电路(5)、直流输出端口(6)依次相连构成，划片道(7)用于切割芯片。本发明具有集成化程度高、尺寸小的优点，能应用于无线能量传输、电磁能量收集系统等领域。

主权项

1.一种基于砷化镓的微波整流芯片，其特征在于：芯片采用0.25微米砷化镓pHEMT工艺制成，芯片厚度为0.1毫米，芯片表面的电路由射频输入端口(1)、隔直电容(2)、输入匹配电路(3)、肖特基二极管阵列(4)、输出滤波电路(5)、直流输出端口(6)依次相连构成，划片道(7)用于切割芯片，射频输入端口(1)的输入频率包含5.8GHz，隔直电容(2)允许该频率的微波信号通过，输入匹配电路(3)由一个并联的螺旋电感与一个串联的螺旋电感构成，并联的螺旋电感通过金属化通孔接地，其螺旋的圈数为7.25圈，串联的螺旋电感圈数为5.5圈，肖特基二极管阵列(4)由8个肖特基二极管并联之后，与另外8个并联的肖特基二极管串联构成，每个肖特基二极管的左端为阴极，右端为阳极，栅宽为40微米，输出滤波电路(5)与主路并联，包含一短微带线和一大电容，大电容通过金属化通孔接地。