[发明专利]GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法在审
| 申请号： | 201910471860.6 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110224299A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 赵勇明;杨国文;张艳春;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张琳琳 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器，其中，方法包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层、第一应变补偿层、第二折射率层以及所述第一应变补偿层；其中，所述第一应变补偿层的应变类型与所述第一折射率层以及所述第二折射率层的应变类型相反。本发明采用应力补偿的方式消除因晶格失配产生的应力，实现无应变DBR的生长，避免出现晶片翘曲的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 折射率层 应变补偿层 衬底 分布布拉格反射镜 制备 垂直腔面发射激光器 半导体激光器 应变类型相反 交替生长 晶格失配 晶片翘曲 应变类型 应力补偿 生长 | ||
【主权项】：
1.一种分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于，包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层、第一应变补偿层、第二折射率层以及所述第一应变补偿层；其中，所述第一应变补偿层的应变类型与所述第一折射率层以及所述第二折射率层的应变类型相反。
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