[发明专利]一种复合了脉冲磁控溅射和离子注入的复合表面改性方法及装置有效
| 申请号： | 201910471866.3 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110144560B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李刘合 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 郭智 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合了脉冲磁控溅射和离子注入的复合表面改性方法及装置，该方法包括如下步骤：首先利用脉冲磁控溅射，产生复合表面改性所需的等离子体；在磁控溅射脉冲结束瞬间，把脉冲极性变换，使仍滞留在真空室中的等离子体中的离子向背离靶材的方向加速；基材本身作为负极或置于离子轰击的路径上，实现对基材进行复合表面改性。本发明能够改善基片材料对薄膜材料的亲和性，改善膜层与基片结合力，可以操控膜的结构，而且可在在磁控溅射沉积成膜前后改变其涂层或者基片的成分结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 脉冲 磁控溅射 离子 注入 表面 改性 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种复合了脉冲磁控溅射和离子注入的复合表面改性方法，其特征在于包括如下步骤：首先利用脉冲磁控溅射，产生复合表面改性所需的等离子体；在磁控溅射脉冲结束瞬间，把脉冲极性变换，使仍滞留在真空室中的等离子体中的离子向背离靶材的方向加速；基材本身作为负极或置于离子轰击的路径上，实现对基材进行复合表面改性。
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