[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910471955.8 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112018241A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 胡连峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层，第一电极层为单层或多层结构；在第一电极层上形成介电层；在介电层上形成第二电极层，第二电极层为单层或多层结构；第一电极层中与介电层相接触的为第一电极接触层，第二电极层中与介电层相接触的为第二电极接触层，第一电极接触层和第二电极接触层中至少一层采用原子层沉积工艺形成。原子层沉积工艺形成的层结构表面粗糙度较低，同一区域中，第一电极层接触层和第二电极层接触层中不易存在同时凸向介电层的凸出点，第一电极层接触层和第二电极层接触层之间的最短距离变大，进而介电层不易发生击穿，提高了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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