[发明专利]量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法

摘要

本发明属于量子显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：提供初始量子点薄膜，所述初始量子薄膜设置在基板上，所述初始量子点薄膜中的量子点表面结合有第一配体；将所述初始量子点薄膜背离所述基板的表面进行紫外光照处理，然后用溶剂清洗初始量子点薄膜上被紫外光照处理的表面；将第二配体与经所述溶剂清洗的初始量子点薄膜表面接触，进行配体连接，得到量子点薄膜。该方法得到的量子点薄膜量两表面分别均匀分布第一配体和第二配体，通过对第一配体和第二配体的种类选择，可以进一步平衡空穴和电子在量子点发光薄膜中的复合效率，应用于QLED器件中可以提高器件的效率、亮度和使用寿命。