[发明专利]一种利用光刻及金属催化腐蚀切割晶体硅的方法有效
| 申请号： | 201910473210.5 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110148554B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李佳艳;武晓玮;谭毅;蔡敏 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 唐楠;李洪福 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用光刻及金属催化腐蚀切割晶体硅的方法，具有如下步骤：对开方后的晶体硅锭依次进行单面抛光，清洗和烘干；烘干后的抛光面进行涂底、旋涂光刻胶和软烘后，将掩模板置于其上；对置有掩模板的抛光面进行对准曝光；将曝光后的抛光面依次进行后烘、显影和硬烘，得到光刻后的抛光面；在光刻后的抛光面上沉积金属催化剂，并浸入到腐蚀液中；腐蚀过程完成后将腐蚀后获得的硅片从腐蚀液中取出，并除去硅片表面剩余的催化剂，获得切割后的硅片。通过本发明可以实现在指定区域上进行硅锭的切割以获得硅片，大幅度减少了加工区域，减少了晶体硅的浪费；通过本发明可以有效减少切割过程中杂质及机械应力的引入，减少硅片缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 光刻 金属 催化 腐蚀 切割 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用光刻及金属催化腐蚀切割晶体硅的方法，其特征在于具有如下步骤：对开方后的晶体硅锭依次进行单面抛光，清洗和烘干；烘干后的抛光面进行涂底、旋涂光刻胶和软烘后，将掩模板置于其上，掩模板具有多个相互平行的狭缝组，所述狭缝组具有多个相互平行的狭缝；对置有掩模板的抛光面进行对准曝光；将曝光后的抛光面依次进行后烘、显影和硬烘，得到光刻后的抛光面；在光刻后的抛光面上沉积金属催化剂，以获得覆盖在抛光面上的催化剂线；将上述具有催化剂线的晶体硅锭浸入到腐蚀液中进行腐蚀；腐蚀过程完成后将腐蚀后获得的硅片从腐蚀液中取出，并除去硅片表面剩余的催化剂，获得切割后的硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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