[发明专利]一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910474490.1 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110129730A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 沈杰;罗杰;崔晓莉;李忠;尹延林 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C25D11/26;C22F1/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，所述制备方法先后采用磁控溅射法和阳极氧化技术，钼掺杂浓度通过溅射靶的钼、钛的原子浓度比来调节，纳米管尺寸和长度由阳极氧化技术控制；具体步骤为：清洗基板；在清洗后的基板上使用磁控溅射法沉积MoTi合金膜；控制基板温度为室温~300℃；采用氩气，控制真空室内气压为0.1~2.5 Pa，溅射功率密度为1.7~177 kW/m2；将制备得到的MoTi合金膜在电解液中采用阳极氧化技术得到钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜；将钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜进行退火处理。本发明方法具有工业生产前景，实验重复性好，是一种制备优异光电转换性的Mo掺杂TiO2纳米管阵列薄膜的新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化钛纳米管阵列薄膜 钼掺杂 制备 阳极氧化技术 磁控溅射法 合金膜 实验重复性 光电转换 溅射功率 控制基板 清洗基板 室内气压 退火处理 阵列薄膜 氩气 电解液 溅射靶 纳米管 基板 沉积 清洗 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于所述制备方法先后采用磁控溅射法和阳极氧化技术，钼掺杂浓度通过溅射靶的钼、钛的原子浓度比来调节，纳米管尺寸和长度由阳极氧化技术控制；具体步骤如下：（1）清洗基板；（2）在清洗后的基板上使用磁控溅射法沉积MoTi合金膜；控制基板温度为室温~300℃；采用氩气，控制真空室内气压为0.1~2.5 Pa，溅射功率密度为1.7~177 kW/m2；（3）将制备得到的MoTi合金膜在电解液中采用阳极氧化技术得到钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜；（4）将钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜进行退火处理；退火处理条件是：在空气、氮气或惰性气体保护下退火，退火温度为400~700℃，退火时间为1~5 小时。
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